Постростовые операции технологического процесса изготовления наноструктурных ФЭП (фотоэлектрических преобразователей) на основе А3В5: • защита лицевой поверхности пластин перед химической обработкой "тыла"; • химическая обработка тыльной стороны эпипластин для нанесения тыльного контакта; • фотолитография: 1 нанесение фоторезиста на установке; 2 сушка пластин с нанесенным фоторезистом; 3 Фотоэкспонирование; 4 Ручное проявление нанесенного рисунка контактной сетки на лицевой поверхности пластин кассетным методом; 5 Операция lift off кассетным методом; 6 Снятие верхнего сильнолегированного слоя (Cар); • Операция резки пластин на ФЭП; • Операция ламинирования эпи-пластин ; • Операция маркировки ФЭП ; • Работа с HF, NH4OH, H2SO4, H2O2, N2, H20, фоторезистом, проявителем; • свободное и уверенное обращение с германиевыми пластинами; • участие в разработке технологического цикла в пилотной линии производства ФЭПов; • работа в чистом помещении (класс чистоты - 5); • Ознакомлен и принимал участие в операциях: вакуум-термического напыления металлов; электронного распыления диэлектриков . |